‌Was sind die Unterschiede zwischen Siliziumnitrid-Substrat und Substrat?

Die Hauptunterschiede zwischenSiliziumnitrid-Substratund Substrat sind ihre Definitionen, Verwendungen und Eigenschaften. ‌

1. Definition und Verwendung

‌Siliziumnitrid-Substrat‌:Siliziumnitrid-Substratist ein keramisches Material, das hauptsächlich bei der Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen, insbesondere Leistungsmodulen, verwendet wird. Es verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine hohe mechanische Festigkeit und eine gute thermische Anpassung und eignet sich für Anwendungsszenarien, die eine hohe Zuverlässigkeit und hohe Temperaturbeständigkeit erfordern. „Substrat“: „Substrat“ bezieht sich normalerweise auf die zugrunde liegende Trägerstruktur, die für die Chipherstellung verwendet wird. Zu den gängigen Substratmaterialien gehören einkristalline Siliziumwafer, SOI-Substrate, SiGe-Substrate usw. Die Wahl des Substrats hängt von den spezifischen Anwendungsanforderungen ab, z. B. integrierte Schaltkreise, Mikroprozessoren, Speicher usw. ‌

2. Vergleich der Merkmale ‌

Siliziumnitrid-Substrat‌ ‌

Hohe Wärmeleitfähigkeit‌: Die Wärmeleitfähigkeit von Siliziumnitrid beträgt bis zu 80 W/m·K oder mehr, was für die Wärmeableitungsanforderungen von Hochleistungsgeräten geeignet ist. ‌Hohe mechanische Festigkeit‌: Es verfügt über eine hohe Biegefestigkeit und Bruchzähigkeit und gewährleistet so eine hohe Zuverlässigkeit. ‌ ‌ Anpassung des Wärmeausdehnungskoeffizienten ‌: Es ist dem SiC-Kristallsubstrat sehr ähnlich, was eine stabile Übereinstimmung zwischen den beiden gewährleistet und die Gesamtzuverlässigkeit erhöht ‌.

Substrat ‌

Verschiedene Typen ‌: Einschließlich einkristalliner Siliziumwafer, SOI-Substrate, SiGe-Substrate usw., jedes Substratmaterial hat seinen spezifischen Anwendungsbereich und seine Leistungsvorteile ‌.

‌Breites Anwendungsspektrum‌: Wird zur Herstellung verschiedener Arten von Chips und Geräten verwendet, z. B. integrierte Schaltkreise, Mikroprozessoren, Speicher usw. ‌.

3. Anwendungsszenarien

‌Siliziumnitrid-Substrat‌: Wird hauptsächlich für Hochleistungsgeräte in Bereichen wie neuen Energiefahrzeugen und modernen Transportschienen verwendet. Aufgrund seiner hervorragenden Wärmeableitungsleistung, mechanischen Festigkeit und Stabilität eignet es sich für hohe Zuverlässigkeitsanforderungen in komplexen Umgebungen.

‌Substrat‌: Wird häufig bei der Herstellung verschiedener Chips verwendet, und die spezifische Anwendung hängt von der Art des Substrats ab. Einkristalline Siliziumwafer werden beispielsweise häufig bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen und Mikroprozessoren verwendet, SOI-Substrate eignen sich für leistungsstarke integrierte Schaltkreise mit geringem Stromverbrauch und SiGe-Substrate werden für Bipolartransistoren mit Heteroübergang und Mixed-Signal-Schaltkreise usw. verwendet.